VOLTCRAFT UC-70W001 GaN USB sieninis įkroviklis 70W 2x USB-C PD 3.2 + 1x USB-A greitasis įkrovimas Baltas VC-18791125

Šis VOLTCRAFT įkroviklis, turintis kompaktišką GaN dizainą, užtikrina 70 W bendrąją galią ir yra sukurtas efektyviam kelių įrenginių įkrovimui. Du USB-C prievadai, palaikantys USB Power Delivery 3.2, ir USB-A prievadas su greituoju įkrovimu leidžia vienu metu visu greičiu įkrauti nešiojamąjį kompiuterį, planšetinį kompiuterį ir išmanųjį telefoną.

Apžvalga

VOLTCRAFT UC-70W001 yra baltas vidinis USB sieninis įkroviklis, sukurtas naudojant galio nitrido (GaN) technologiją, kuri užtikrina mažesnius matmenis ir mažesnį šilumos išsiskyrimą palyginti su tradiciniais silicio įkrovikliais. Jis priima 100–240 V kintamosios srovės įėjimą esant 50/60 Hz, todėl tinka naudoti tarptautiniu mastu su europlug (C tipo) kištuku. Įkroviklis dinamiškai paskirsto galią trims prievadams, užtikrindamas, kad kiekvienas prijungtas įrenginys gautų optimalų įkrovimą. Įmontuotos apsaugos priemonės apsaugo nuo perkrovos, perkaitimo ir trumpojo jungimo.

Kuo išsiskiria

• 70 W bendroji išėjimo galia su dinaminiu galios paskirstymu per 2x USB-C ir 1x USB-A
• USB Power Delivery 3.2 USB-C prievaduose, skirtas greitam nešiojamųjų kompiuterių ir planšetinių kompiuterių įkrovimui
• GaN technologija užtikrina aukštą efektyvumą ir kompaktišką dydį
• Vienu metu galima įkrauti iki trijų įrenginių
• Visapusiškos saugos apsaugos: perkrova, perkaitimas, trumpasis jungimas

Techninė informacija

• Bendroji išėjimo galia: 70 W
• Prievadai: 2x USB-C (PD 3.2), 1x USB-A (greitasis įkrovimas)
• Įėjimas: 100–240 V AC, 50/60 Hz
• Kištuko tipas: Europlug (C tipo)
• Spalva: Balta
• Naudojimo paskirtis: Vidaus
• Sauga: Apsauga nuo perkrovos, apsauga nuo perkaitimo, apsauga nuo trumpojo jungimo
• Suderinamumas: Išmanieji telefonai, planšetiniai kompiuteriai, nešiojamieji kompiuteriai (suderinami su USB-C PD)

Mūsų verdiktas

Puikus pasirinkimas vartotojams, kuriems reikia vieno, kelionėms tinkamo įkroviklio keliems USB-C ir USB-A įrenginiams, pasižyminčio GaN technologijos efektyvumu ir saugumu.