Samsung 8 GB DDR3 SDRAM atminties modulis 1 x 8 GB 240 kontaktų DIMM ECC

Samsung Computing DRAM

Tinkamas atminties sprendimas gali būti vienas svarbiausių jūsų konkurencinių pranašumų. „Samsung“ pirmauja šioje srityje su pažangiausia DRAM technologija, įskaitant DDR2, DDR3 ir netrukus – DDR4, kad jūsų dizaino sėkmė būtų dar didesnė. Pasinaudokite greičiausia ir našiausia „Samsung“ DDR3 atmintimi jau šiandien su dviejų kanalų 128 bitų atminties moduliu, užtikrinančiu daugiau nei 25,6 GB/s pralaidumą.

Tenkinkite didėjančius energijos vartojimo efektyvumo reikalavimus

Mūsų naujausios kartos Computing DRAM užtikrina išskirtinį greičio ir efektyvumo derinį. Specialios plokštėje integruotos maitinimo valdymo funkcijos padeda sumažinti energijos suvartojimą atminties neveikimo ciklų metu.

Energijos vartojimo efektyvumas gali virsti dideliu išlaidų taupymu serverių ir stalinių kompiuterių aplinkoje, ilgu baterijos veikimo laiku nešiojamųjų kompiuterių naudotojams ir mažu anglies pėdsaku. „Samsung“ Computing DRAM sprendimai didina konkurencingumą suteikdami galimybę:

- Pasinaudoti mūsų itin mažos galios atminties technologija su 30 nm klasės, 1,35 V, 2 Gb DDR3.
- Sutaupyti iki 67 procentų atminties energijos naudojant naujausius „Samsung“ 20 nm klasės DDR3 sprendimus, palyginti su esamais 50 nm klasės DDR3.
- Veikti esant vos 1,2 V įtampai, tuo pačiu užtikrinant beveik dvigubai didesnį DDR3 pralaidumą su būsima DDR4 atmintimi.

Įgyvendinkite pažangius produktų sprendimus

DRAM atminties galimybės yra plačios ir apima beveik kiekvieną įrenginį, galintį būti tarpusavyje sujungtą ir prijungtą prie tinklo. „Samsung“ Computing DRAM suteikia daugybę dizaino pranašumų, įskaitant:

- Laikrodžio dažnius, viršijančius 1 GHz, leidžiančius duomenų perdavimo spartą iki 1 866 Mb/s, kad palaikytų šiuolaikinius aukščiausios klasės ir didelės spartos procesorius.
- Labai žemą darbinę įtampą, padedančią žymiai sumažinti energijos suvartojimą ir prailginti baterijomis maitinamų įrenginių naudojimo trukmę.
- Vis tankesnę gamybą (pvz., naujausią 20 nm DDR3), sumažinančią lustų, patenkančių į galutinį produktą, skaičių ir atlaisvinančią plokštės erdvę, kurią kitu atveju užimtų ankstesnės kartos lustai.
- Integruotus mechanizmus, tokius kaip DQ ekranavimas, savaiminis kalibravimas ir fly-by topologija, skirtus patobulintam signalo valdymui.

„Samsung“ puslaidininkinės atminties ekspertizė ir patirtis kuriant naujos kartos atminties technologijas skatina tokių įrenginių ir programų, kaip itin ploni nešiojamieji kompiuteriai su pailgintu baterijos veikimo laiku, dizainą.
Debesijos optimizuoti serveriai taip pat labai priklauso nuo „Samsung“ Computing DRAM.

Samsung 8 GB DDR3 SDRAM. Komponentas skirtas: PC/serveris, Vidinė atmintis: 8 GB, Atminties išdėstymas (moduliai x dydis): 1 x 8 GB, Vidinės atminties tipas: DDR3, Atminties taktinis dažnis: 1600 MHz, Atminties formos koeficientas: 240 kontaktų DIMM, CAS delsa: 11, ECC