DELL MKYF9 atminties modulis 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260 kontaktų SO-DIMM

„Dell MKYF9“ atminties modulis yra 8 GB DDR4 SO-DIMM, skirtas nešiojamiesiems kompiuteriams. Turintis 260 kontaktų formos faktorių, 2400 MHz taktinį dažnį ir 1,2 V darbinę įtampą, šis vienaeilis, bebuferinis modulis suteikia papildomos darbinės atminties, kad pagerintų daugiafunkcinį darbą ir programų reagavimą.

Privalumai

Šis 8 GB DDR4 modulis užtikrina didesnį duomenų perdavimo greitį, palyginti su ankstesnės kartos atmintimi, esant toms pačioms energijos sąnaudoms. Jo SO-DIMM 260 kontaktų formatas yra suderinamas su daugeliu nešiojamųjų kompiuterių ir mažo formos faktoriaus sistemų, o vienaeilis dizainas supaprastina įdiegimą, kartu išlaikant stabilumą kasdienėms ir profesionalioms darbo apkrovoms.

Tinka

• Nešiojamojo kompiuterio atminties atnaujinimui, siekiant bendro našumo gerinimo
• Kelių programų ir naršyklės skirtukų vienu metu naudojimui
• Biuro darbui, naršymui internete ir medijos atkūrimui
• Lengvam turinio kūrimui ir programinės įrangos kūrimo užduotims

Pagrindinės specifikacijos

• Talpa: 8 GB
• Atminties tipas: DDR4
• Taktinis dažnis: 2400 MHz
• Formos faktorius: 260 kontaktų SO-DIMM
• Konfigūracija: 1Gx64, vienaeilis, bebuferinis
• Darbinė įtampa: 1,2 V

Kaip naudoti

Išjunkite nešiojamąjį kompiuterį ir, jei įmanoma, išimkite bateriją. Pasiekite atminties skyrių pagal įrenginio gamintojo instrukcijas, tada įdėkite SO-DIMM modulį į atminties lizdą šiek tiek pakreiptą, kol kontaktai bus visiškai įstatyti ir fiksavimo spaustukai užsifiksuos. Surinkite įrenginį ir jį įjunkite; sistema turėtų automatiškai aptikti papildomą atmintį. Naudokite sistemos BIOS ar operacinės sistemos įrankius, kad patikrintumėte naują talpą ir užtikrintumėte tinkamą veikimą.

Rekomendacijos

Įdiekite atminties modulius suderintomis poromis, kai nešiojamasis kompiuteris tai palaiko, kad įgalintumėte dviejų kanalų veikimą ir pagerintumėte pralaidumą. Prieš atnaujindami patikrinkite nešiojamojo kompiuterio gamintojo dokumentaciją dėl maksimalios palaikomos atminties, suderinamų atminties greičių ir bet kokių lizdų užpildymo taisyklių.