ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P P kanalo galios MOSFET -60V 18A DPAK

ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P yra aukštos kokybės P kanalo galios MOSFET, skirtas efektyviam energijos valdymui ir perjungimo programoms. Pagamintas Infineon Technologies, šis komponentas turi nutekėjimo-šaltinio įtampą -60 V ir nuolatinę nutekėjimo srovę -18 A, todėl tinka įvairioms elektroninėms grandinėms. Įrengtas DPAK (TO-252) paviršinio montavimo korpuse, jis užtikrina patikimą veikimą kompaktiškuose projektuose.

Privalumai

Šis MOSFET pasižymi maža įjungimo varža (65 mΩ esant Vgs=-10V), mažinančia galios nuostolius, dideliu perjungimo greičiu ir tvirtu terminiu našumu, kai galios išsklaidymas yra 60 W. SIPMOS® technologija užtikrina puikų efektyvumą ir ilgaamžiškumą sudėtingomis sąlygomis.

Tinka

• Maitinimo šaltinių grandinėms
• DC-DC keitikliams
• Variklių valdymui
• Baterijų valdymo sistemoms
• Apkrovos perjungimui

Pagrindinės specifikacijos

• Komponento tipas: P kanalo galios MOSFET
• Nutekėjimo-šaltinio įtampa (Vds): -60 V
• Nuolatinė nutekėjimo srovė (Id): -18 A (esant Tc=25°C)
• Įjungimo varža (Rds(on)): 65 mΩ (esant Vgs=-10V, Id=-14A)
• Užtūros-šaltinio įtampa (Vgs): ±20 V
• Galios išsklaidymas (Pd): 60 W (esant Tc=25°C)
• Korpuso tipas: DPAK (TO-252)
• Montavimo tipas: Paviršinis montavimas
• Darbinės temperatūros diapazonas: nuo -55 iki 175 °C
• Bendras užtūros krūvis (Qg): 25 nC (tipinis)
• Užtūros slenkstinė įtampa (Vgs(th)): -2,1 V (min.)
• Įėjimo talpa (Ciss): 1000 pF (tipinė)
• Išėjimo talpa (Coss): 200 pF (tipinė)
• Atvirkštinio perdavimo talpa (Crss): 100 pF (tipinė)
• Kaiščių skaičius: 3
• Tranzistoriaus poliškumas: P kanalas
• Technologija: SIPMOS®

Rekomendacijos

Siekiant optimalaus veikimo, užtikrinkite tinkamą šilumos šalinimą ir laikykitės gamintojo nurodymų dėl užtūros valdymo ir PCB išdėstymo. Šis komponentas idealiai tinka inžinieriams ir mėgėjams, ieškantiems patikimo P kanalo MOSFET vidutinės galios programoms.