2-power 512GB M.2 PCIe NVMe 2280 (2P-4XB0W79581)

Su nuosekliojo skaitymo greičiu iki 3000 MB/s, šis 512GB M.2 NVMe SSD užtikrina didžiulį našumo šuolį, palyginti su SATA diskais, todėl idealiai tinka žaidimams, turinio kūrimui ir sudėtingoms darbo apkrovoms.

Apžvalga

2-Power 512GB M.2 PCIe NVMe 2280 SSD yra aukštos kokybės saugojimo sprendimas, skirtas pagreitinti jūsų sistemą. Sukurtas naudojant PCIe Gen3 x4 sąsają ir NVMe 1.3 protokolą, jis pasižymi maža delsa ir dideliu pralaidumu. M.2 2280 formos faktorius užtikrina suderinamumą su daugybe stalinių ir nešiojamųjų kompiuterių. Naudojant 3D TLC NAND atmintį, užtikrinama našumo, patvarumo ir patikimumo pusiausvyra.

Pagrindiniai privalumai

• Itin greitas nuoseklus skaitymo/rašymo greitis iki 3000/1800 MB/s
• Didelis atsitiktinių operacijų IOPS: iki 200K skaitymo ir 250K rašymo, užtikrinantis sklandų daugiafunkcinį darbą
• Patvari konstrukcija: 250 TBW ištvermė ir 1,5 milijono valandų MTBF
• Palaiko TRIM, S.M.A.R.T. ir nuo galo iki galo duomenų apsaugą, užtikrinančią duomenų vientisumą
• Mažas energijos suvartojimas: tik 3,5W veikimo metu ir 0,05W budėjimo režime

Techninės detalės

• Talpa: 512 GB
• Formos faktorius: M.2 2280
• Sąsaja: PCIe Gen3 x4
• Protokolas: NVMe 1.3
• NAND atminties tipas: 3D TLC
• Nuosekliojo skaitymo greitis: iki 3000 MB/s
• Nuosekliojo rašymo greitis: iki 1800 MB/s
• Atsitiktinio skaitymo IOPS (4KB): iki 200 000 IOPS
• Atsitiktinio rašymo IOPS (4KB): iki 250 000 IOPS
• TBW: 250 TBW
• MTBF: 1 500 000 valandų
• Darbinė temperatūra: 0°C iki 70°C
• Laikymo temperatūra: -40°C iki 85°C
• TRIM palaikymas: Taip
• S.M.A.R.T. palaikymas: Taip
• Energijos suvartojimas (veikimo): ~3,5W
• Energijos suvartojimas (budėjimo): ~0,05W
• Atsparumas smūgiams: 1500G/0,5ms
• Atsparumas vibracijai: 20G Peak, 10-2000Hz

Mūsų verdiktas

2-Power 512GB M.2 NVMe SSD yra puikus pasirinkimas vartotojams, ieškantiems didelio greičio padidėjimo neperkant brangiai. Jo didelė ištvermė ir gausus funkcijų rinkinys daro jį patikimu atnaujinimu tiek darbui, tiek žaidimams.