2-power 2P-IN3V4GNABKXLV - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR3L - 1600 MHz

Nešiojamojo kompiuterio atminties modulis, suteikiantis 4 GB DDR3L SDRAM, veikiantis 1600 MHz dažniu, sukurtas patikimam našumui suderinamuose nešiojamuosiuose kompiuteriuose ir mažo formato sistemose. Jo žemos įtampos konstrukcija sumažina energijos suvartojimą ir šilumos išsiskyrimą, todėl idealiai tinka prailginti baterijos veikimo laiką ir pagerinti sistemos reagavimą.

Privalumai

2-POWER 2P-IN3V4GNABKXLV modulis yra ekonomiškas būdas padidinti kelių užduočių vykdymo galimybes ir bendrą sistemos greitį. Veikdamas tik 1,35 V įtampa, jis sunaudoja mažiau energijos nei standartinė DDR3 atmintis, todėl įrenginiai veikia vėsiau, o nešiojamųjų įrenginių baterijos veikimo laikas ilgėja. 204 kontaktų SO-DIMM formos faktorius užtikrina suderinamumą su daugeliu nešiojamųjų kompiuterių, o nebuferinė, ne ECC architektūra optimizuota vartotojų ir verslo nešiojamiesiems kompiuteriams.

Tinka

• Senesnių nešiojamųjų kompiuterių atnaujinimui, kad sklandžiai veiktų šiuolaikinės operacinės sistemos ir programos
• Vartotojams, kuriems reikia papildomos atminties naršymui internete, biuro programoms ir medijos atkūrimui
• Sistemoms, kurioms reikia žemos įtampos DDR3L atminties, kad atitiktų energijos vartojimo efektyvumo reikalavimus
• Pakeisti sugedusią arba nepakankamą atmintį kompaktiškuose staliniuose ir viskas viename kompiuteriuose, kuriuose naudojami SO-DIMM lizdai

Pagrindinės specifikacijos

• Atminties tipas: DDR3L SDRAM
• Talpa: 4 GB (1 x 4 GB)
• Greitis: 1600 MHz (PC3L-12800)
• Formos faktorius: 204 kontaktų SO-DIMM
• Įtampa: 1,35 V
• CAS delsa: CL11
• Klaidų korekcija: ne ECC
• Buferizavimas: nebuferinė
• Atminties rangas: vienas rangas (1Rx8)

Rekomendacijos

Kad rezultatas būtų geriausias, prieš pirkdami patikrinkite savo nešiojamojo kompiuterio atminties specifikacijas. Jei palaikoma, montuokite poromis, kad veiktų dviejų kanalų režimu. Šis modulis yra puikus pasirinkimas suteikiant naują gyvenimą senstantiems nešiojamiesiems kompiuteriams.