2-power 2P-CT4G3S1339MCEU - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR3 - 1333 MHz

Nešiojamojo kompiuterio atminties modulis, užtikrinantis 4 GB DDR3 našumą esant 1333 MHz dažniui, skirtas patikimam sistemos reagavimui. Šis vienas SO-DIMM modulis yra paprastas būdas padidinti atminties talpą nešiojamiesiems kompiuteriams, kuriems reikia daugiau atminties, neprarandant stabilumo. 204 kontaktų dizainas ir 1,5 V darbinė įtampa užtikrina suderinamumą su daugeliu nešiojamųjų kompiuterių, o CL9 delsa ir vieno rango architektūra prisideda prie efektyvaus duomenų apdorojimo kasdienėse užduotyse.

Privalumai

Įdiegus šį 4 GB DDR3 modulį, pastebimai pagerės kelių programų vienu metu veikimas ir programų įkėlimo laikas. Nebuferinis, ne ECC konfigūracija optimizuota vartotojų nešiojamiesiems kompiuteriams, užtikrinant pastovų našumą be nereikalingų papildomų išlaidų. Jo SO-DIMM formos faktorius tinka kompaktiškiems nešiojamųjų kompiuterių korpusams, o standartinis 1333 MHz dažnis subalansuoja pralaidumą ir energijos vartojimo efektyvumą, padedant prailginti baterijos veikimo laiką, palyginti su didesnio dažnio alternatyvomis.

Tinka

• Senesniems nešiojamiesiems kompiuteriams su DDR3 SO-DIMM lizdais
• Sistemoms, kuriose iš pradžių buvo 2 GB arba 4 GB atminties
• Naudotojams, naudojantiems lengvas operacines sistemas arba pagrindinę biuro programinę įrangą
• Technikams, atnaujinantiems arba taisantiems nešiojamuosius kompiuterius

Pagrindinės specifikacijos

• Talpa: 4 GB (1 x 4 GB)
• Atminties tipas: DDR3
• Dažnis: 1333 MHz (PC3-10600)
• Formos faktorius: SO-DIMM 204 kontaktų
• Įtampa: 1,5 V
• CAS delsa: CL9
• Rangas: 1Rx8 (vieno rango)
• Klaidų taisymas: ne ECC
• Buferizavimas: nebuferinis

Rekomendacijos

Kad pasiektumėte geriausių rezultatų, įdiekite šį modulį poromis, jei nešiojamasis kompiuteris palaiko dviejų kanalų atminties architektūrą. Prieš pirkdami visada patikrinkite didžiausią palaikomą atminties kiekį ir lizdo tipą gamintojo dokumentacijoje. Šis modulis idealiai tinka prailginti senesnių nešiojamųjų kompiuterių tarnavimo laiką be brangaus visos sistemos keitimo.