2-power 2P-11201514 - 8 GB - 1 x 8 GB - DDR3L - 1600 MHz

Padidinkite savo nešiojamojo kompiuterio našumą su šiuo 8 GB DDR3L SO-DIMM atminties moduliu iš 2-POWER. Veikdamas esant žemai 1,35 V įtampai, jis užtikrina puikų energijos vartojimo efektyvumo ir patikimo greičio balansą kasdienėms skaičiavimo užduotims. Modulis veikia 1600 MHz dažniu ir pasižymi CL11 CAS lotencija, užtikrinančia sklandų kelių užduočių vykdymą ir greitą programų įkėlimą.

Privalumai

Žemos įtampos DDR3L technologija sumažina energijos suvartojimą, o tai padeda prailginti baterijos veikimo laiką suderinamuose nešiojamuosiuose kompiuteriuose. Vienas 8 GB modulis suteikia pakankamai talpos šiuolaikinėms operacinėms sistemoms ir produktyvumo programoms, o 204 kontaktų SO-DIMM formos faktorius leidžia lengvai įdiegti daugumoje nešiojamųjų kompiuterių ir mažo formato kompiuterių. Ne ECC, be buferio dizainas užtikrina platų suderinamumą su vartotojų ir verslo nešiojamaisiais kompiuteriais.

Tinka

• Nešiojamiesiems kompiuteriams su DDR3L SO-DIMM lizdais
• Vartotojams, atnaujinantiems nuo 4 GB ar mažiau, siekiant geresnio kelių užduočių vykdymo
• Sistemoms, kurioms reikia žemos įtampos atminties, atitinkančios „Intel Haswell“ ar naujesnių platformų specifikacijas
• Mažo formato staliniams kompiuteriams ir „viskas viename“ kompiuteriams, kuriuose naudojama SO-DIMM atmintis

Pagrindinės specifikacijos

• Talpa: 8 GB (1 x 8 GB modulis)
• Atminties tipas: DDR3L (PC3L-12800)
• Greitis: 1600 MHz
• Formos faktorius: SO-DIMM, 204 kontaktų
• Įtampa: 1,35 V
• CAS lotencija: CL11
• Klaidų taisymas: Ne ECC
• Buferizavimas: Be buferio
• Rangas: Vienas rangas (1Rx8)
• Duomenų perdavimo sparta: 12,8 GB/s

Rekomendacijos

Norėdami gauti geriausių rezultatų, įsitikinkite, kad jūsų nešiojamasis kompiuteris palaiko DDR3L SO-DIMM modulius ir turi laisvą atminties lizdą. Jei jūsų sistema palaiko dviejų kanalų režimą, suporuokite šį modulį su identišku, kad pasiektumėte dviejų kanalų našumą. Visada laikykite atminties modulius už kraštų, kad išvengtumėte statinės žalos.